NGHIÊN CỨU ĐƠN PHỐI LIỆU VÀ CHẾ ĐỘ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO MẶT TRÙM CỦA MẶT NẠ CÁCH LY TRÊN CƠ SỞ CAO SU THIÊN NHIÊN BẰNG PHƯƠNG PHÁP ÉP PHUN - Vũ, Trần Dương; Hà, Ngọc Thiện; Vương, Văn Trường; Đỗ, Tiến Tùng; Nguyễn, Hùng Thái; Bùi, Thị Ngọc Hà; Lê, Quang Tiến Dũng (Tạp chí Khoa học và Công nghệ nhiệt đới, 2025)
Trong bài báo này, chúng tôi trình bày kết quả nghiên cứu thành phần đơn phối liệu và chế độ công nghệ chế tạo mặt trùm của mặt nạ cách ly trên cơ sở CSTN Việt Nam với trang thiết bị và công nghệ hiện có trong nước. Đã xây dựng được đơn phối liệu chế tạo mặt trùm trên cơ sở cao su thiên nhiên SVR 3L. Đơn phối liệu (pkl): SVR 3L 100; ZnO 10; stearic acid 1,2; phòng lão 6PPD 5; phòng lão TMQ 1,0; BaSO4 8; CaCO3 30; than đen N330 25; hóa dẻo DOP 3,0; MBTS 1,0; DPG 0,3; lưu huỳnh 2,8. Đã xác định được thông số công nghệ quá trình ép phun cho đơn phối liệu trên là: nhiệt độ lưu hóa 150oC; áp lực nén ép 160 kg/cm2 ; tốc độ nạp liệu 60 l/ phút; nhiệt độ vùng nạp liệu và vùng phun 60-70oC; thời gian lưu hóa 135 s; định lượng nạp liệu 228 g đối với mặt trùm MIA-1 và 154 g đối với mặt trùm MPĐA.